ทรานซิสเตอร์สองขั้วเกทแบบแยกฉนวนของ Toshiba ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพเครื่องปรับอากาศและอุปกรณ์อุตสาหกรรม

คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–9 มีนาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัวทรานซิสเตอร์สองขั้วเกทแบบแยกฉนวน (IGBT) “GT30J65MRB” 650V สำหรับการปรับปรุงค่าตัวประกอบกําลังไฟฟ้า (PFC)^[1] ของเครื่องปรับอากาศและแหล่งจ่ายไฟขนาดใหญ่สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม การจัดส่งตามปริมาณเริ่มวันนี้

เซมิคอนดักเตอร์ไฟฟ้าได้รับการยอมรับว่าเป็นอุปกรณ์สำคัญในการอนุรักษ์พลังงาน รวมถึงการมุ่งสู่ความเป็นกลางทางคาร์บอน ในอุปกรณ์อุตสาหกรรมและเครื่องใช้ภายในบ้านที่ใช้พลังงานไฟฟ้ามาก ความต้องการอุปกรณ์สวิตชิ่งที่มีประสิทธิภาพสูงกำลังเพิ่มขึ้นเนื่องจากเครื่องปรับอากาศใช้อินเวอร์เตอร์เพิ่มขึ้น และความต้องการในการลดการใช้พลังงานในอุปกรณ์จ่ายไฟขนาดใหญ่สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม สิ่งนี้ได้กระตุ้นความต้องการที่เพิ่มขึ้นสำหรับอุปกรณ์สวิตชิ่งที่มีการสูญเสียต่ำและความถี่สวิตชิ่งที่สูงขึ้นในวงจร PFC

Toshiba นำกระบวนการล่าสุดมาสู่ IGBT ใหม่ โครงสร้างร่องลึกที่ปรับให้เหมาะสมช่วยรักษาระดับชั้นนำของอุตสาหกรรม^[2] การสูญเสียที่เกิดจากการเปลี่ยนสถานะ (การสูญเสียที่เกิดจากการเปลี่ยนสถานะปิด) ที่ 0.35mJ (ทั่วไป)^[3] ซึ่งต่ำกว่า GT50JR22 ในผลิตภัณฑ์ก่อนหน้าของ Toshiba ประมาณ 42%^[4] IGBT ใหม่ยังมีไดโอดในตัวที่มีแรงดันไปข้างหน้า 1.20V (ทั่วไป)^[5] ซึ่งต่ำกว่า GT50JR22 ประมาณ 43%^[5] การปรับปรุงเหล่านี้ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของอุปกรณ์

สำหรับวงจร PFC ของเครื่องปรับอากาศ GT50JR22 ผลิตภัณฑ์ก่อนหน้าของ Toshiba ใช้กับความถี่ในการทำงานต่ำกว่า 40kHz^[6] GT30J65MRB เป็น IGBT ตัวแรกของ Toshiba สำหรับ PFC ที่ใช้งานต่ำกว่า 60kHz^[6] ซึ่งทำได้โดยการลดการสูญเสียที่เกิดจากการเปลี่ยนสถานะ (การสูญเสียที่เกิดจากการเปลี่ยนสถานะปิด) เพื่อความปลอดภัยในการทำงานความถี่ที่สูงขึ้น

Toshiba จะยังคงขยายสายผลิตภัณฑ์เพื่อให้สอดคล้องกับแนวโน้มของตลาดและปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์

หมายเหตุ:
[1] วงจรปรับปรุงค่าตัวประกอบกําลังไฟฟ้า (PFC): วงจรที่ลดความแตกต่างของเฟสระหว่างแรงดันและกระแสไฟฟ้าเพื่อให้ตัวประกอบกำลังเข้าใกล้ความเป็นหนึ่ง เพื่อยับยั้งส่วนประกอบฮาร์มอนิกที่สร้างขึ้นในการจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง

[2] การสำรวจของ Toshiba ณ เดือนมีนาคม 2023

[3] เงื่อนไขการทดสอบ: โหลดประเภทเหนี่ยวนำ, V_CE=400V, I_C=15A, V_GE=15V, R_G=56Ω, T_c=175°C

[4] ณ เดือนมีนาคม 2023 ค่าที่วัดโดย Toshiba (เงื่อนไขการทดสอบ: V_CC=400V, I_C=15A, V_GG=+15V/0, R_G=56Ω, T_c=175°C)

[5] เงื่อนไขการทดสอบ: I_F=15A, V_GE=0V, T_c=25°C

[6] ณ เดือนมีนาคม 2023 ค่าที่วัดโดย Toshiba โดยใช้บอร์ดประเมิน PFC

การใช้งาน

• เครื่องใช้ในบ้าน (เครื่องปรับอากาศ ฯลฯ)
• อุปกรณ์อุตสาหกรรม (อุปกรณ์อัตโนมัติในโรงงาน เครื่องพิมพ์มัลติฟังก์ชัน ฯลฯ)

คุณสมบัติ

• ชั้นนำในอุตสาหกรรม^[2] การสูญเสียที่เกิดจากการเปลี่ยนสถานะ (การสูญเสียที่เกิดจากการเปลี่ยนสถานะปิด): E_off=0.35mJ^[3] (typ.) รับรู้โดยกระบวนการล่าสุด
• ไดโอดอิสระในตัว (FWD) โดยโครงสร้างการนำไฟฟ้าย้อนกลับ (RC)
• เวลาการเปลี่ยนสถานะรวดเร็ว (เวลาตก): t_f=40ns (typ.) (T_c=25°C, I_C=15A, R_G=56Ω)
• แรงดันตกคร่อมไดโอดต่ำ: V_F=1.20V (typ.) (T_c=25°C, I_F=15A, V_GE=0V)

ข้อกำหนดหลัก

(Ta=25°C, เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
หมายเลขชิ้นส่วน			GT30J65MRB
แพ็กเกจ			TO-3P(N)
การจัดอันดับ สูงสุด แบบสัมบูรณ์	แรงดันคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์ VCES (V)		650
	กระแสคอลเลคเตอร์ (DC) IＣ (A)	Tc=25°C	60
		Tc=100°C	30
	อุณหภูมิทางแยก Tj (°C)		175
แรงดันอิ่มตัวของคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ VCE(sat) typ. (V)VCE(sat) typ. (V)		IC＝30A, VGE=15V, Tc=25°C	1.40
เวลาการเปลี่ยนสถานะ (เวลาตก) tf typ. (ns)		โหลดประเภทเหนี่ยวนำ, VCE=400V, IC=15A, VGE=15V, RG=56Ω, Tc=25°C	40
การสูญเสียที่เกิดจากการเปลี่ยนสถานะ (การสูญเสียที่เกิดจากการเปลี่ยนสถานะปิด) Eoff typ. (mJ)Eoff typ. (mJ)		โหลดประเภทเหนี่ยวนำ, VCE=400V, IC=15A, VGE=15V, RG=56Ω, Tc=175°C	0.35
แรงดันตกคร่อมของไดโอด VF typ. (V)		IF=15A, VGE=0V, Tc=25°C	1.20
ความต้านทานความร้อนระหว่างรอยต่อกับเคส Rth(j-c) สูงสุด (°C/W)			0.75
การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน			ซื้อออน์ไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
GT30J65MRB

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ IGBT ของ Toshiba
IGBTs

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่
GT30J65MRB
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และคลังข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัทจำนวน 23,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ปัจจุบัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ที่มียอดขายต่อปีทะลุ 8.5 แสนล้านเยน (7.5 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง

ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: www.businesswire.com/news/home/53357547/en

ติดต่อ

ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
อีเมล: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation