– กลุ่มผลิตภัณฑ์ประกอบด้วยขนาด 1200 โวลต์ และ 650 โวลต์ –
คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–30 สิงหาคม 2565
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("โตชิบา") ได้เปิดตัวอุปกรณ์ไฟฟ้ารุ่นใหม่ในซีรีส์ “TWxxNxxxC” อย่าง MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) รุ่นที่ 3[1] [2] ที่ให้ค่าความต้านทานไฟฟ้าต่ำและลดสูญเสียเนื่องจากการเปลี่ยนสถานะได้อย่างมาก ผลิตภัณฑ์รุ่นนี้มี 10 รายการ ได้แก่ ผลิตภัณฑ์ 1200 โวลต์จำนวน 5 รายการ และ 650 โวลต์ จำนวน 5 รายการ โดยออกสู่ตลาดแล้ววันนี้
เอกสารประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีเนื้อหามัลติมีเดีย ดูอย่างเต็มรูปแบบได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20220829005265/en/
โตชิบา: SiC MOSFET รุ่นที่ 3 "ซีรี่ส์ TWxxxNxxxC" (กราฟิก: Business Wire)
ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ช่วยลดความต้านทานต่อหน่วยพื้นที่ (RDS(ON)A) ลงประมาณ 43%[3] ทำให้เกิดความต้านทานไฟฟ้าของขาเดรนกับซอร์ส * ลักษณะการชาร์ของขาเกตและเดรน (RDS(ON)*Qgd) ซึ่งเป็นดัชนีสำคัญที่แสดงถึงความสัมพันธ์ระหว่างการสูญเสียการนำไฟฟ้าและการสูญเสียเนื่องจากการเปลี่ยนสถานะ ซึ่งจะลดลงประมาณ 80%[4]
ผลิตภัณฑ์นี้ช่วยลดการสูญเสียเนื่องจากการเปลี่ยนสถานะ 20%[5] และลดทั้งความต้านทานไฟฟ้าและการสูญเสียเนื่องจากการเปลี่ยนสถานะ รวมทั้งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้แก่อุปกรณ์มากขึ้น
โตชิบาจะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์อุปกรณ์ไฟฟ้าและปรับปรุงโรงงานผลิต และตั้งเป้าสร้างเศรษฐกิจที่ปราศจากก๊าซคาร์บอนโดยการจัดหาอุปกรณ์ไฟฟ้าประสิทธิภาพสูงที่ใช้งานง่าย
หมายเหตุ:
[1] โตชิบาได้พัฒนาโครงสร้างอุปกรณ์ที่ลดความต้านทานไฟฟ้าต่อหน่วยพื้นที่ (RDS(ON)A) โดยใช้โครงสร้างที่มีไดโอดกั้น schottky ในตัวที่พัฒนาขึ้นสำหรับ SiC MOSFET รุ่นที่ 2 และยังลดความจุป้อนกลับในบริเวณทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ทางแยก
[2] MOSFET คือ ทรานซิสเตอร์แบบ field-effect ของเซมิคอนดักเตอร์เมทัลออกไซด์
[3] จากการสำรวจของโตชิบา เปรียบเทียบ SiC MOSFET ขนาด 1200 โวลต์ใหม่กับ SiC MOSFET รุ่นที่ 2 เมื่อตั้งค่า RDS(ON)A เป็น 1
[4] จากการสำรวจของโตชิบา เปรียบเทียบ SiC MOSFET ขนาด 1200 โวลต์ใหม่กับ SiC MOSFET รุ่นที่ 2 เมื่อตั้งค่า RDS(ON)*Qgd เป็น 1
[5] จากการสำรวจของโตชิบา เปรียบเทียบ SiC MOSFET ขนาด 1200 โวลต์ใหม่กับ SiC MOSFET รุ่นที่ 2
การใช้งาน
・สวิตช์จ่ายไฟ (เซิร์ฟเวอร์ ศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์สื่อสาร ฯลฯ)
・สถานีชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า
・อินเวอร์เตอร์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์
・เครื่องสำรองไฟ (UPS)
คุณสมบัติ
・ความต้านทานต่ำต่อหน่วยพื้นที่ (RDS(ON)A)
・ความต้านทานไฟฟ้าของขาเดรนกับซอร์ส * ลักษณะการชาร์ของขาเกตและเดรนต่ำ(RDS(ON)*Qgd)
・แรงดันของไดโอดต่ำ: VDSF= -1.35V (typ.) @VGS= -5V
ลักษณะจำเพาะหลัก |
|||||||||||
(@Ta=25°C เว้นแต่ระบุไว้เป็นอย่างอื่น) |
|||||||||||
รหัสสินค้า |
แพ็คเกจ |
ระดับสูงสุด |
ลักษณะจำเพาะทางไฟฟ้า |
ดูตัวอย่างสินค้า & การวางจำหน่าย |
|||||||
แรงดันไฟฟ้าขาเดรน VDSS (V) |
แรงดันไฟฟ้าขาเกต VGSS (V) |
กระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่าน (DC) ID (A) |
แรงดันไฟฟ้าขาเดรนกับซอร์ส RDS(ON) typ. (mΩ) |
แรงดันไฟฟ้า เกตเทรชโฮลด์ Vth (V) |
การชาร์จขาเกตทั้งหมด Qg typ. (nC) |
การชาร์จขาเกตกับเดรน Qgd typ. (nC) |
ค่าความจุไฟฟ้าทางอินพุต Ciss typ. (pF) |
แรงดันของไดโอด VDSF typ. (V) |
|||
@Tc=25°C |
@VGS=18V |
@VDS=10V |
@VDS=400V, f=100kHz |
@VGS= -5V |
|||||||
TO-247 |
1200 |
-10 to 25 |
100 |
15 |
3.0 to 5.0 |
158 |
23 |
6000 |
-1.35 |
||
60 |
30 |
82 |
13 |
2925 |
|||||||
40 |
45 |
57 |
8.9 |
1969 |
|||||||
36 |
60 |
46 |
7.8 |
1530 |
|||||||
20 |
140 |
24 |
4.2 |
691 |
|||||||
650 |
100 |
15 |
128 |
19 |
4850 |
||||||
58 |
27 |
65 |
10 |
2288 |
|||||||
40 |
48 |
41 |
6.2 |
1362 |
|||||||
30 |
83 |
28 |
3.9 |
873 |
|||||||
20 |
107 |
21 |
2.3 |
600 |
คลิกลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ตัวใหม่
ผลิตภัณฑ์ 1200 โวลต์
TW015N120C
TW030N120C
TW045N120C
TW060N120C
TW140N120C
ผลิตภัณฑ์ 650 โวลต์
TW015N65C
TW027N65C
TW048N65C
TW083N65C
TW107N65C
ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ SiC MOSFET ของโตชิบา
ตรวจสอบการวางจำหน่ายผลิตภัณฑ์ตัวใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ โดยเข้าไปที่:
ผลิตภัณฑ์ 1200 โวลต์
TW015N120C
ซื้อออนไลน์
TW030N120C
ซื้อออนไลน์
TW045N120C
ซื้อออนไลน์
TW060N120C
ซื้อออนไลน์
TW140N120C
ซื้อออนไลน์
ผลิตภัณฑ์ 650 โวลต์
TW015N65C
ซื้อออนไลน์
TW027N65C
ซื้อออนไลน์
TW048N65C
ซื้อออนไลน์
TW083N65C
ซื้อออนไลน์
TW107N65C
ซื้อออนไลน์
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์เนื้อหาของบริการและข้อมูลการติดต่อเป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ระดับแถวหน้าผู้จัดหาโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บที่มีความก้าวล้ำ รวบรวมประสบการณ์และนวัตกรรมที่สะสมมากว่าครึ่งศตวรรษ เพื่อส่งมอบผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจของเรา
พนักงานทั้ง 23,000 คนจากทั่วโลกของ TDSC มุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ ๆ ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีที่สูงกว่า 8.5 แสนล้านเยน (7.5 พันล้านดอลลาร์สหรัฐฯ) ในขณะนี้ TDSC หวังที่จะได้มีส่วนสร้างอนาคตที่ดีกว่าให้กับผู้คนทั่วโลก
ดูเพิ่มเติมที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
ดูเนื้อหาต้นฉบับ businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20220829005265/en/
ติดต่อ:
ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายการตลาดและฝ่ายขายอุปกรณ์กำลัง
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา
ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
You must be logged in to post a comment.