Category: Uncategorized

คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–30 มีนาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") ได้เปิดตัว Power MOSFET แบบ N-channel 150V “TPH9R00CQ5” ซึ่งใช้กระบวนการ U-MOSX-H เจนเนอเรชันล่าสุด^[2] สำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งของอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร โดยเริ่มจัดส่งวันนี้

TPH9R00CQ5 นำเสนอความต้านทานต่อไฟฟ้าเดรนต่ำของแหล่งที่มาชั้นนำในอุตสาหกรรม^[1] ที่ 9.0mΩ (สูงสุด) ซึ่งลดลงประมาณ 42% จากผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่ของ Toshiba “TPH1500CNH1^[3]” เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่ของ Toshiba “TPH9R00CQH^[4]” ค่าการฟืนตัวย้อนกลับจะลดลงประมาณ 74% และช่วงเวลาฟืนตัวย้อนกลับ^[5] ประมาณ 44% ซึ่งทั้งสองคุณลักษณะการฟืนตัวย้อนกลับมีความสำคัญกับแอปพลิเคชันการแก้ไขแบบซิงโครนัส ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ที่ใช้ในแอปพลิเคชันการแก้ไขแบบซิงโครนัส^[6] ช่วยลดการสูญเสียพลังงานของแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งและช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพ นอกจากนี้ เมื่อเทียบกับ TPH9R00CQH ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ช่วยลดแรงดันสไปค์ที่เกิดขึ้นระหว่างสวิตชิ่ง ซึ่งช่วยลด EMI ของแหล่งจ่ายไฟ

ผลิตภัณฑ์นี้ใช้แพ็คเกจยอดนิยม SOP Advance(N) ชนิดติดตั้งบนพื้นผิว

Toshiba ยังมีเครื่องมือที่สนับสนุนการออกแบบวงจรสำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง นอกเหนือจากรุ่น G0 SPICE ซึ่งตรวจสอบการทำงานของวงจรในเวลาอันสั้นแล้ว รุ่น G2 SPICE ที่มีความแม่นยำสูงซึ่งสร้างลักษณะเฉพาะชั่วคราวได้อย่างแม่นยำก็มีวางจำหน่ายแล้วเช่นกัน

Toshiba ยังได้พัฒนาการออกแบบอ้างอิง "ตัวแปลง DC-DC แบบไม่มีแยก Buck-Boost ขนาด 1 กิโลวัตต์สำหรับอุปกรณ์โทรคมนาคม” และ “อินเวอร์เตอร์สามเฟสหลายระดับโดยใช้ MOSFET" ที่ใช้ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ ซึ่งมีอยู่ในเว็บไซต์ของ Toshiba ตั้งแต่วันนี้ ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้สามารถใช้กับการออกแบบอ้างอิง “ตัวแปลง DC-DC แบบฟูลบริดจ์ขนาด 1 กิโลวัตต์” ที่เผยแพร่แล้วได้

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ Power MOSFET ที่ช่วยลดการสูญเสียพลังงาน เพิ่มประสิทธิภาพของแหล่งจ่ายไฟ และช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์ต่อไป

การใช้งาน

• แหล่งจ่ายไฟของอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น ที่ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร
• แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง (ตัวแปลง DC-DC ประสิทธิภาพสูง และอื่น ๆ)

คุณสมบัติ

• ความต้านทานไฟฟ้าต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม^[1]: R_DS(ON)=9.0mΩ (สูงสุด) (V_GS=10V)
• ค่าการฟื้นตัวย้อนกลับชั้นนำในอุตสาหกรรม^[1]: Q_rr=34nC (typ.) (-dI_DR/dt=100A/μs)
• ช่วงเวลาฟื้นตัวย้อนกลับอย่างรวดเร็วชั้นนำในอุตสาหกรรม^[1]: t_rr=40ns (typ.) (-dI_DR/dt=100A/μs)
• ระดับอุณหภูมิช่องสูง: T_ch (สูงสุด)=175°C

หมายเหตุ:
[1] ณ เดือนมีนาคม 2023 เปรียบเทียบกับผลิตภัณฑ์ 150V อื่น ๆ ผลสำรวจของ Toshiba

[2] ณ เดือนมีนาคม 2023

[3] ผลิตภัณฑ์ 150V ที่ใช้กระบวนการสร้างที่มีอยู่ U-MOSVIII-H

[4] ผลิตภัณฑ์ที่ใช้กระบวนการสร้างรุ่นเดียวกับ TPH9R00CQ5 และมีแรงดันไฟฟ้าและความต้านทานไฟฟ้าแบบเดียวกัน

[5] การดำเนินการสวิตชิ่งที่ไดโอดตัว MOSFET เปลี่ยนจากไปข้างหน้าเป็นย้อนกลับ

[6] หากใช้ผลิตภัณฑ์ใหม่ในวงจรที่ไม่ได้ดำเนินการฟื้นตัวย้อนกลับ การสูญเสียพลังงานจะเทียบเท่ากับ TPH9R00CQH

ข้อกำหนดหลัก
(Ta=25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
หมายเลขชิ้นส่วน			TPH9R00CQ5
การจัดอันดับ สูงสุด แบบสัมบูรณ์	แรงดันจากเดรน VDSS (V)		150
	กระแสเดรน (DC) ID (A)	Tc=25°C	64
	อุณหภูมิช่อง Tch (°C)		175
คุณสมบัติทางไฟฟ้า	ความต้านทานต่อไฟฟ้าจากเดรน RDS(ON) max (mΩ)	VGS=10V	9.0
		VGS=8V	11.0
	ค่าเกตทั้งหมด Qg typ. (nC)		44
	ค่าการสลับเกต QSW typ. (nC)		11.7
	ค่าเอาต์พุต Qoss typ. (nC)		87
	ค่าตัวเก็บประจุระหว่างอินพุต Ciss typ. (pF)		3500
	ช่วงเวลาฟืนตัวย้อนกลับ trr typ. (ns)	-dIDR/dt=100A/μs	40
	ค่าการฟืนตัวย้อนกลับ Qrr typ. (nC)		34
แพ็กเกจ	ชื่อ		SOP Advance(N)
	ขนาด typ. (มม.)		4.9 x 6.1 x 1.0
การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน			ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TPH9R00CQ5

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับรายละเอียดที่เกี่ยวข้องกับผลิตภัณฑ์ใหม่

U-MOSX-H ซีรีส์ 150V MOSFET เหมาะอย่างยิ่งสำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งที่มีประสิทธิภาพ

การปรับปรุงประสิทธิภาพโดยอินเวอร์เตอร์หลายระดับพร้อม 150V MOSFET

ตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFETs

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่

TPH9R00CQ5
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และคลังข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ
พนักงานของบริษัทจำนวน 23,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ปัจจุบัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ที่มียอดขายต่อปีทะลุ 8.5 แสนล้านเยน (7.5 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง
ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: www.businesswire.com/news/home/53370162/en

ติดต่อ

ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
อีเมล: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

KAWASAKI, Japan–(BUSINESS WIRE)–Mar. 30, 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") has launched a 150V N-channel power MOSFET “TPH9R00CQ5,” which uses the latest^[2] generation U-MOSX-H process, for switching power supplies of industrial equipment, such as that used in data centers and communications base stations. Shipments start today.

This press release features multimedia. View the full release here: https://www.businesswire.com/news/home/20230329005462/en/

TPH9R00CQ5 features an industry-leading^[1] low drain-source On-resistance of 9.0mΩ (max), approximately a 42% reduction from Toshiba’s existing product, “TPH1500CNH1^[3].” Compared with Toshiba’s existing product “TPH9R00CQH^[4],” the reverse recovery charge is reduced by about 74% and the reverse recovery^[5] time by about 44%, both key reverse recovery characteristics for synchronous rectification applications. Used in synchronous rectification applications^[6], the new product reduces the power loss of switching power supplies and helps improve efficiency. Furthermore, compared to TPH9R00CQH, the new product reduces spike voltage generated during switching, helping lower the EMI of power supplies.

The product uses the popular, surface-mount-type SOP Advance(N) package.

Toshiba also offers tools that support circuit design for switching power supplies. Alongside the G0 SPICE model, which verifies circuit function in a short time, highly accurate G2 SPICE models, which accurately reproduce transient characteristics, are now available.

Toshiba has also developed “1 kW Non-Isolated Buck-Boost DC-DC Converter for Telecommunications Equipment” and “Three-phase Multi Level Inverter using MOSFET” reference designs that utilize the new product. They are available on Toshiba’s website from today. The new product can also be utilized for the already published “1 kW Full-Bridge DC-DC Converter” reference design.

Toshiba will continue to expand its lineup of power MOSFETs that reduce power loss, increase the efficiency of power supplies, and help to improve equipment efficiency.

Applications

• Power supplies of industrial equipment, such as that used in data centers and communications base stations.
• Switching power supplies (high efficiency DC-DC converters, etc.)

Features

• Industry-leading^[1] low On-resistance: R_DS(ON)=9.0mΩ (max) (V_GS=10V)
• Industry-leading^[1] low reverse recovery charge: Q_rr=34nC (typ.) (-dI_DR/dt=100A/μs)
• Industry-leading^[1] fast reverse recovery time: t_rr=40ns (typ.) (-dI_DR/dt=100A/μs)
• High channel temperature rating: T_ch (max)=175°C

Notes:

[1] As of March 2023, comparison with other 150V products. Toshiba survey.

[2] As of March 2023.

[3] A 150V product using the existing generation process U-MOSVIII-H

[4] A product using the same generation process as TPH9R00CQ5 and featuring the same voltage and On-resistance

[5] A switching action in which the MOSFET body diode switches from forward to reverse biased.

[6] If the new product is used in a circuit that does not perform the reverse-recovery operation, the power loss is equivalent to that of TPH9R00CQH.

Main Specifications
(Ta=25°C unless otherwise specified)
Part number			TPH9R00CQ5
Absolute maximum ratings	Drain-source voltage VDSS (V)		150
	Drain current (DC) ID (A)	Tc=25°C	64
	Channel temperature Tch (°C)		175
Electrical characteristics	Drain-source On-resistance RDS(ON) max (mΩ)	VGS=10V	9.0
		VGS=8V	11.0
	Total gate charge Qg typ. (nC)		44
	Gate switch charge QSW typ. (nC)		11.7
	Output charge Qoss typ. (nC)		87
	Input capacitance Ciss typ. (pF)		3500
	Reverse recovery time trr typ. (ns)	-dIDR/dt=100A/μs	40
	Reverse recovery charge Qrr typ. (nC)		34
Package	Name		SOP Advance(N)
	Size typ. (mm)		4.9 x 6.1 x 1.0
Sample Check & Availability			Buy Online

Follow the links below for more on the new product.

TPH9R00CQ5

Follow the links below for more on the related content on the new product.

U-MOSX-H series 150V MOSFET ideal for efficient switching power supplies

Efficiency Improvement by Multi-Level Inverter with 150V MOSFET

Follow the link below for more on Toshiba MOSFETs.

MOSFETs

To check availability of the new products at online distributors, visit:

TPH9R00CQ5

Buy Online

* Company names, product names, and service names may be trademarks of their respective companies.

* Information in this document, including product prices and specifications, content of services and contact information, is current on the date of the announcement but is subject to change without prior notice.

About Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, a leading supplier of advanced semiconductor and storage solutions, draws on over half a century of experience and innovation to offer customers and business partners outstanding discrete semiconductors, system LSIs and HDD products.

The company's 23,000 employees around the world share a determination to maximize product value, and promote close collaboration with customers in the co-creation of value and new markets. With annual sales now surpassing 850-billion yen (US$7.5 billion), Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation looks forward to building and to contributing to a better future for people everywhere.

Find out more at https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

View source version on businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20230329005462/en/

Contact:

Customer Inquiries:
Power Device Sales & Marketing Dept.
Tel: +81-44-548-2216
Contact Us

Media Inquiries:
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Department
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp