การเพิ่ม 1200V ของ Toshiba ในกลุ่มผลิตภัณฑ์ไดโอด SiC Schottky Barrier รุ่นที่สามจะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพสูงในอุปกรณ์ไฟฟ้าทางอุตสาหกรรม

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–25 กันยายน 2024

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เพิ่มผลิตภัณฑ์ 1200V ในซีรี่ย์ “TRSxxx120Hx ” เข้าในกลุ่มผลิตภัณฑ์ไดโอด Schottky Barrier (SBD) ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) เจเนอเรชันที่ 3 (third-generation) สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น อินเวอร์เตอร์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ สถานีชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า และอุปกรณ์จ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง เมื่อวันนี้ Toshiba ได้เริ่มจัดส่งผลิตภัณฑ์ใหม่ 10 รายการในซีรีส์นี้ โดย 5 รายการอยู่ในแพ็คเกจ TO-247-2L และ 5 รายการอยู่ในแพ็คเกจ TO-247

TRSxxx120Hx Series ใหม่เป็นผลิตภัณฑ์ 1200V ที่ใช้โครงสร้าง Schottky (JBS) ของ Junction-barrier ที่ได้รับการปรับปรุง (improved junction-barrier Schottky (JBS) structure [1]) ของ Toshiba 650V SBD รุ่นที่สามของ Toshiba การใช้โลหะชนิดใหม่ในชั้นกั้นจุดเชื่อมต่อช่วยให้ผลิตภัณฑ์ใหม่สามารถบรรลุแรงดันไฟฟ้าขาไปต่ำ ในอุตสาหกรรม [2] ที่ 1.27V (โดยประมาณ) มีการชาร์จความจุรวมที่ต่ำ และกระแสย้อนกลับต่ำ ซึ่งช่วยลดการสูญเสียพลังงานของอุปกรณ์ได้อย่างมากในแอพพลิเคชั่นที่มีพลังงานสูงกว่า

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์อุปกรณ์ไฟฟ้า SiC ต่อไปและมุ่งเน้นการปรับปรุงประสิทธิภาพที่จะช่วยลดการสูญเสียพลังงานในอุปกรณ์ไฟฟ้าอุตสาหกรรม

หมายเหตุ:
[1] โครงสร้าง JBS ที่ได้รับการปรับปรุง: เป็นโครงสร้างที่รวมเข้ากับโครงสร้าง Merged PiN Schottky (MPS) ซึ่งลดแรงดันไฟฟ้าขาไปที่กระแสสูง อันจะเป็นการลดสนามไฟฟ้าที่บริเวณอินเทอร์เฟซของ Schottky และลดการรั่วไหลของกระแสไฟฟ้า
[2] ในกลุ่ม SBD SiC 1200V จากการสำรวจของ Toshiba ณ เดือนกันยายน 2024

การนำไปใช้งาน

• อินเวอร์เตอร์เซลล์แสงอาทิตย์

• สถานีชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า

• แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม, UPS

คุณสมบัติ

• SiC SBD รุ่นที่สาม 1200 V
• แรงดันไฟฟ้าขาไปต่ำที่สุดในอุตสาหกรรม[2]: VF = 1.27V (โดยประมาณ) (IF = IF(DC))
• การชาร์จความจุรวมต่ำ: QC = 109nC (โดยประมาณ) (VR = 800V, f = 1MHz) สำหรับ TRS20H120H
• กระแสย้อนกลับต่ำ: IR = 2.0μA (โดยประมาณ) (VR = 1200V) สำหรับ TRS20H120H

ข้อมูลจำเพาะหลัก
						(เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น Ta =25°C)
หมายเลขชิ้นส่วน	แพ็กเกจ	ค่าสูงสุดที่ยอมรับได้				ลักษณะทางไฟฟ้า			การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมจำหน่าย
		แรงดันย้อนกลับพีคซ้ำ VRRM (V)	กระแสขาไปแบบกระแสตรง IF(DC) (A)		กระแสพีคขาไปที่เพิ่มขึ้นอย่างไม่ซ้ำซาก IFSM (A)	แรงดันขาไป (การวัดแบบพัลส์) VF (V)	กระแสย้อนกลับ (การวัดแบบพัลส์) IR (μA)	การชาร์จความจุรวม QC (nC)
				เงื่อนไขอุณหภูมิ Tc (°C)	f=50Hz (คลื่นไซน์ครึ่งคลื่น, t=10ms), Tc=25°C	IF=IF(DC)	VR=1200V	VR=800V, f=1MHz
						โดยประมาณ	โดยประมาณ	โดยประมาณ
TRS10H120H	TO-247-2L	1200	10	160	80	1.27	1.0	61	ซื้อออนไลน์
TRS15H120H			15	157	110		1.4	89	ซื้อออนไลน์
TRS20H120H			20	155	140		2.0	109	ซื้อออนไลน์
TRS30H120H			30	150	210		2.8	162	ซื้อออนไลน์
TRS40H120H			40	147	270		3.6	220	ซื้อออนไลน์
TRS10N120HB	TO-247		5 (ต่อขา) 10 (ทั้งสองขา)	160	40 (ต่อขา) 80 (ทั้งสองขา)	1.27 (ต่อขา)	0.5 (ต่อขา)	30 (ต่อขา)	ซื้อออนไลน์
TRS15N120HB			7.5 (ต่อขา) 15 (ทั้งสองขา)	157	55 (ต่อขา) 110 (ทั้งสองขา)		0.7 (ต่อขา)	43 (ต่อขา)	ซื้อออนไลน์
TRS20N120HB			10 (ต่อขา) 20 (ทั้งสองขา)	155	70 (ต่อขา) 140 (ทั้งสองขา)		1.0 (ต่อขา)	57 (ต่อขา)	ซื้อออนไลน์
TRS30N120HB			15 (ต่อขา) 30 (ทั้งสองขา)	150	105 (ต่อขา) 210 (ทั้งสองขา)		1.4 (ต่อขา)	80 (ต่อขา)	ซื้อออนไลน์
TRS40N120HB			20 (ต่อขา) 40 (ทั้งสองขา)	147	135 (ต่อขา) 270 (ทั้งสองขา)		1.8 (ต่อขา)	108 (ต่อขา)	ซื้อออนไลน์

โปรดดูลิงค์ด้านล่างเพิ่มเติมสำหรับผลิตภัณฑ์ใหม่
TRS10H120H
TRS15H120H
TRS20H120H
TRS30H120H
TRS40H120H
TRS10N120HB
TRS15N120HB
TRS20N120HB
TRS30N120HB
TRS40N120HB

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ SiC SBD ของ Toshiba
SiC Schottky Barrier Diodes
3rd generation SiC Schottky barrier diode (SBD)

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับอุปกรณ์ SiC Power ของ Toshiba
SiC Power Devices

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
TRS10H120H
ซื้อออนไลน์
TRS15H120H
ซื้อออนไลน์
TRS20H120H
ซื้อออนไลน์
TRS30H120H
ซื้อออนไลน์
TRS40H120H
ซื้อออนไลน์
TRS10N120HB
ซื้อออนไลน์
TRS15N120HB
ซื้อออนไลน์
TRS20N120HB
ซื้อออนไลน์
TRS30N120HB
ซื้อออนไลน์
TRS40N120HB
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลล่าสุดในวันที่ประกาศ แต่สามารถเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซึ่งเป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านเซมิคอนดักเตอร์และโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง มีประสบการณ์และนวัตกรรมมากกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจ

พนักงาน 19,400 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ร่วมกัน บริษัทมุ่งหวังที่จะสร้างและมีส่วนสนับสนุนเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

ดูเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/54126329/en

ติดต่อ

การสอบถามจากลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้าและสัญญาณขนาดเล็ก
Tel: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

การสอบถามข้อมูลจากสื่อ:
Chiaki Nagasawa
แผนกการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation